အီလက်ထရောနစ်အစိတ်အပိုင်းများကိုဆွေးနွေးသည့်နယ်ပယ်တွင် Photoresistors များသည်အရေးပါသောအနေအထားကိုဆက်လက်နေထိုင်ကြသည်။သူတို့၏လုပ်ငန်းမူများနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်ဆိုင်ရာအချက်များသည် photoelectric sensor များနှင့်အလိုအလျောက်ထိန်းချုပ်ရေးစနစ်များစသည့် applications များ၏ထိရောက်မှုနှင့်တိကျမှန်ကန်မှုကိုတိုက်ရိုက်သက်ရောက်သည်။ဤဆောင်းပါးသည် Photoresistors ၏အခြေခံလက္ခဏာများနှင့်၎င်းတို့၏အဓိက parameters များကိုအသေးစိတ်လေ့လာသုံးသပ်ရန်ရည်ရွယ်ထားသည်။
အမှောင်ခံနိုင်မှုနှင့်အလင်းခံနိုင်ရည် - Photoresistor ၏အဓိကလက္ခဏာများ
Photoresistor ၏အလုပ်လုပ်နိူင်ငံသည်၎င်း၏ပြောင်းလဲမှုအပေါ်အခြေခံသည်။အဘယ်သူမျှမအလင်းအခြေခံ (စုစုပေါင်းအမှောင်ထု) အခြေအနေများအရ Photoresistor ၏ခုခံတန်ဖိုးသည်အမြင့်ဆုံးတန်ဖိုးကိုမှောင်မိုက်သောခံနိုင်ရည်ဟုခေါ်သောအမြင့်ဆုံးတန်ဖိုးကိုရောက်ရှိနေပြီး,MG41-21 Photoresistor ကိုဥပမာတစ်ခုအနေဖြင့်၎င်း၏အမှောင်ထုခံနိုင်ရည်ရှိခြင်းသည်0.1mωထက်ကြီးသည်သို့မဟုတ်ညီမျှသည်,အကြောင်းမှာ Photosensistics ပစ္စည်းများ၏စီးကူးမှုသည်အလင်းမရှိခြင်းကြောင့်သိသိသာသာလျော့နည်းသွားသောကြောင့်ဖြစ်သည်။ဆန့်ကျင်ဘက်အနေဖြင့်ပတ် 0 န်းကျင်တွင်ပတ် 0 န်းကျင်တွင်ပတ် 0 န်းကျင်တွင်ပါ 0 င်သောပတ်ဝန်းကျင်တွင် Photoresistor ၏ခုခံတန်ဖိုးသည်သိသိသာသာကျဆင်းသွားသည်။ဥပမာအားဖြင့်, အလင်းအခြေအနေများအောက်ရှိတူညီသော Photoresistor ပုံစံ၏တောက်ပသောခုခံတန်ဖိုးသည်1Kωထက်နည်းသည်။မှောင်မိုက်ခြင်းကိုခံနိုင်ရည်နှင့်အလင်းခံနိုင်ရည်ရှိသည့်ဤကွာခြားချက်သည် Photoresistor ၏ sensitivity ၏အရေးပါသောညွှန်ပြချက်ဖြစ်သည်။အကောင်းဆုံးကတော့မှောင်မိုက်ရင်ခုန်မှုတန်ဖိုးသည်မြင့်မားပြီး Photoresistor သည်အလင်းရောင်အခြေအနေများတွင်ကောင်းမွန်သောတုန့်ပြန်မှုတွင်ကောင်းမွန်သောတုန့်ပြန်မှုရှိကြောင်းသေချာစေရန်အတွက်အလင်းကိုခုခံတန်ဖိုးနည်းသည်အလွန်နည်းပါးသည်။
ဗို့ရာ - အမြှေးပါးလက္ခဏာများ - ဗို့အားနှင့်လက်ရှိအကြားဆက်နွယ်မှုကိုဖော်ပြသောအရေးကြီးသော parameter သည်
Photoresistor ၏ Volt-ampere ၏လက္ခဏာများမှာ Photoresistor ၏ထူးခြားသော parameter တစ်ခုမှာ Resolor voltor နှင့် currents ည့်သည်များအကြားရှိ voltor နှင့် currents ည့်သည်များအကြားဆက်နွယ်မှုကိုဖော်ပြသည့်အရေးကြီးသော parameter တစ်ခုဖြစ်သည်။ဤဝိသေသလက်ခဏာသည် Photoresistor ၏တုန့်ပြန်မှု၏ဝိသေသလက္ခဏာများကိုဖော်ပြရုံသာမက photoelectric sensing system များကိုဒီဇိုင်းရေးဆွဲရာတွင်အရေးကြီးသောရည်ညွှန်းချက်လည်းဖြစ်သည်။Volt-ampere ဝိသေသလက္ခဏာများသည်အင်ဂျင်နီယာများကိုဗို့အားမတူကွဲပြားသော voltages များအောက်တွင်အလုပ်လုပ်သောအလုပ်လုပ်သောအဆင့်အတန်းနှင့်အတူအင်ဂျင်နီယာများကိုပေးနိုင်ပြီးသတ်သတ်မှတ်မှတ်လျှောက်လွှာလိုအပ်ချက်များနှင့်လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ရန် circuit ဒီဇိုင်းကိုအကောင်းဆုံးဖြစ်စေနိုင်သည်။
ရောင်စဉ်မ propertys: မှန်ကန်သော photosensitive ပစ္စည်းများကိုရွေးချယ်ရန်သော့ချက်
မတူညီသောလှိုင်းအလျားအမျိုးမျိုးရှိသောအလင်းရောင်သည်ရောင်စဉ်တန်းဝိသေသလက္ခဏာများဖြစ်သော Photoresistor အပေါ်ကွဲပြားခြားနားသောသက်ရောက်မှုများရှိသည်။Spectral ဝိသေသများသည် Photoresistor ၏တုံ့ပြန်မှု sensitivity ကိုမိတ္တူကူးနိုင်သည့်လှိုင်းအလျားတစ်ခု၏အလင်းရောင်အတွက် Photoresistor ၏ sensitivity ကိုရောင်ပြန်ဟပ်ရုံသာမကတိကျသောအသုံးချသည့် Photoresistor ပစ္စည်းများရွေးချယ်ခြင်းအတွက်အရေးပါသောအခြေခံကိုလည်းဖော်ပြထားသည်။ဥပမာအားဖြင့်, Cadmium sulfide photoresistors များသည်မြင်နိုင်သောအလင်းဒေသကိုအထိခိုက်မခံနိုင်ကြပါ။ထို့ကြောင့်လျှောက်လွှာရှိအလင်းအရင်းအမြစ်၏ဝိသေသလက္ခဏာများအပေါ် အခြေခံ. သင့်လျော်သော Photoresistor ပစ္စည်းများကိုရွေးချယ်ခြင်းသည်ထိရောက်သော photoelectric ပြောင်းလဲခြင်းကိုရရှိရန်အတွက်သော့ချက်ဖြစ်သည်။
ကြိမ်နှုန်းဝိသေသလက္ခဏာများ - Photoresistor ၏တုံ့ပြန်မှုမြန်နှုန်းကိုတိုင်းတာသည်
Photoresistor ၏ကြိမ်နှုန်း၏ဝိသေသလက္ခဏာများသည်အလင်းပြင်းထန်မှုအပြောင်းအလဲများကိုမည်မျှလျင်မြန်စွာတုံ့ပြန်ကြောင်းဖော်ပြသည်။ကွဲပြားခြားနားသောပစ္စည်းများ၏ photoresistors များတွင်လျင်မြန်စွာပြောင်းလဲနေသောအလင်းရောင်အခြေအနေများအောက်တွင် Photoresistors ၏အသုံးချမှုကိုတိုက်ရိုက်သက်ရောက်သည်။အချိန်နှောင့်နှေးမှုလက္ခဏာများ, ဆိုလိုသည်မှာ Photoresistor ကိုပြောင်းလဲရန်နှင့်လက်ရှိတည်ငြိမ်မှုကိုတည်ငြိမ်စေရန်အတွက်အချိန်ယူရမည့်အချိန်သည်ကြိမ်နှုန်းလက္ခဏာများ၏အရေးကြီးသောကဏ် aspect တစ်ခုဖြစ်သည်။Photoristors အများစု၏အသုံးပြုမှုအများစုကိုနှောင့်နှေးမှုဆိုင်ရာဝိသေသလက္ခဏာများသည်၎င်းတို့၏အသုံးပြုမှုကိုမြန်နှုန်းမြင့် application များဖြင့်ကန့်သတ်ထားသော်လည်းဤကန့်သတ်ချက်သည်ပိုမိုမြန်ဆန်သောတုန့်ပြန်မှုအချိန်များကိုရွေးချယ်ခြင်းဖြင့်ဤကန့်သတ်ချက်ကိုတစ်စိတ်တစ်ပိုင်းကျော်လွှားနိုင်သည်။
ဤအခြေခံဝိသေသလက္ခဏာများနှင့် Photoresistors ၏အဓိက parameters များနှင့်အဓိက parameters များနှင့်အဓိကအားဖြင့် Photoresistors နှင့်အင်ဂျင်နီယာများ၏အဓိက parameters များကိုပိုမိုနားလည်သဘောပေါက်ခြင်းဖြင့်၎င်းတို့၏ application လိုအပ်ချက်များအတွက်သင့်တော်သော Photoresistors များကိုပိုမိုရွေးချယ်ရန်နှင့်ဒီဇိုင်း photoresistors များကိုပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။ဤအခြေခံတွင်ဆန်းသစ်သောဒီဇိုင်းအတွေးအခေါ်များနှင့်အဆင့်မြင့်နည်းပညာဆိုင်ရာဖြေရှင်းနည်းများနှင့်ပေါင်းစပ်ခြင်း, Photoelect Sensing System ၏စွမ်းဆောင်ရည်နှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုသည်အီလက်ထရောနစ်အစိတ်အပိုင်းနည်းပညာဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကိုပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်နိုင်သည်။