薄膜電阻技術的獨特過程，涉及用金屬層精心塗覆陶瓷底座，其厚度在50至250納米之間跳舞，揭示了其複雜性。利用先進的真空或濺射技術，此方法可確保具有精確控制的金屬層厚度均勻。薄膜電阻與它們的對應物（WireWound或散裝金屬箔電阻器形成對比），它們的每個單位區域都具有出色的電阻。將較高的電阻值與成本效率工藝的薄膜電阻融合到經濟和緊湊的解決方案中，非常適合高阻力需求和中等精度要求。
設計薄膜電阻器的核心是對溫度對其功能的影響的關鍵考慮。對最佳溫度敏感性的追求已與選擇合適的膜厚度的選擇結婚，這是充滿挑戰的決定。它限制了處置的電阻值的頻譜。電阻值範圍的擴展，同時擴大了薄膜電阻的效用，播下了穩定性變異性的種子，尤其是隨著時間的流逝。化學和機械衰老現象可以滋養這種不穩定性，包括耐藥合金的無情高溫氧化。
此外，在某些條件下，具有固有特性的薄膜電阻及其固有特性會降解。它們的最小金屬含量使它們在面對濕度時特別容易受到自我腐蝕的影響。封裝過程是水蒸氣的潛在預兆，可能會在雜質上渡輪，從而點燃化學腐蝕。這種威脅會在短時間內在低壓直流環境中沉澱電路故障。TCR（溫度係數）的穩定性也在膜厚度選擇的影響下搖擺。較薄的層，更容易受到氧化的影響，加快了高價值薄膜電阻器的降解，在其長期可靠性上鑄造陰影。