Anomenat MB85RQ4ML, amb els seus quatre pins d'E / S bidireccionals que funcionen a 108 MHz, pot assolir una velocitat de transferència de dades de 54 Mb / s. "En aquest sentit, MB85RQ4ML és més de quatre vegades més ràpid que el nostre dispositiu FRAM paral·lel de 4Mbit existent i fins i tot supera el SRAM paral·lel de 45ns", va dir la firma.
En un paquet SOP-16, és com a mínim un 50% més petit que els dispositius paral·lels de Fujitsu de la mateixa densitat, que vénen en TSOP-44 o TSOP-48.
Embedded World 2016: obteniu la guia setmanal completa d'Electronics »
La resistència és de 10 bilions de cicles de lectura / escriptura i les dades es mantenen sense alimentació, a diferència del SRAM amb bateria.
"Tot i que l'arquitectura de memòria convencional dels sistemes incrustats consisteix en una memòria RAM i una memòria no volàtil, MB85RQ4ML pot, en moltes aplicacions, substituir tots dos i oferir una tecnologia de memòria unificada en un sol xip", va afirmar la firma.
Funciona a més d’1,7-1,95 V i té una única interfície SPI i també quad.
Les mostres d’enginyeria ja estan disponibles.
"Amb aquest producte de gamma alta velocitat SPI Quad, hem assolit una altra fita en millorar la nostra tecnologia FRAM", va comentar Uwe Püsche, director sènior de vendes, màrqueting, control de qualitat i assistència tècnica de Fujitsu Electronics Europe.
Fujitsu exposa al pavelló 2, estand 110 de Embedded World a Nuremberg.
Vegeu també: Fujitsu de mostreig de 1 Mb de FRAM al paquet WL-CSP
Vegeu també: FRAM dirigit a codificadors de captació d'energia
Vegeu també: FRAM incrustat obre el disseny de la MCU