Llamado MB85RQ4ML, con sus cuatro pines de E / S bidireccionales operando a 108MHz, puede alcanzar una tasa de transferencia de datos de 54Mbyte / s. “En este sentido, MB85RQ4ML es cuatro veces más rápido que nuestro dispositivo FRAM paralelo de 4Mbit existente e incluso supera al SRAM paralelo de 45ns”, dijo la firma.
En un paquete SOP-16, es al menos un 50% más pequeño que los dispositivos paralelos de Fujitsu de la misma densidad, que vienen en TSOP-44 o TSOP-48.
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La resistencia es de 10 billones de ciclos de lectura / escritura y los datos se guardan sin energía, a diferencia de la SRAM respaldada por batería.
“Si bien la arquitectura de memoria convencional de los sistemas embebidos consiste en una RAM y una memoria no volátil, MB85RQ4ML puede, en muchas aplicaciones, reemplazar a ambas y ofrecer una tecnología de memoria unificada en un solo chip”, afirmó la firma.
Opera a más de 1.7-1.95V y tiene una única interfaz SPI y cuádruple.
Las muestras de ingeniería están disponibles ahora.
“Con este producto Quad SPI de ultra alta velocidad, hemos alcanzado otro hito en la mejora de nuestra tecnología FRAM”, comentó el director senior de Ventas, Marketing, Control de Calidad y Soporte Técnico de Fujitsu Electronics Europe, Uwe Püsche.
Fujitsu expondrá en el Hall 2, stand 110 en Embedded World en Nuremberg.
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